RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
66
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3217
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link