RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
66
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3866
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link