RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
66
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3392
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link