RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
66
Wokół strony -187% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2545
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link