RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
66
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2474
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link