RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
66
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3075
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link