RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
60
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
60
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2813
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link