RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
106
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
106
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1252
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link