RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
46
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3094
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link