RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3671
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link