RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3166
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link