RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
48
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3061
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link