RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3587
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link