RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3422
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
INTENSO 5641160 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link