RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3148
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link