RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

AMD AE34G1601U1 4GB Powody do rozważenia
AMD AE34G1601U1 4GB
Zgłoś błąd
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.9 left arrow 6.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.3 left arrow 3.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 12800
    Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    67 left arrow 67
  • Prędkość odczytu, GB/s
    6.8 left arrow 15.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    3.6 left arrow 8.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    998 left arrow 1850

AMD AE34G1601U1 4GB Porównanie pamięci RAM

Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Pamięć RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Pamięć RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Pamięć RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Pamięć RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Pamięć RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Pamięć RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Pamięć RAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Pamięć RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Pamięć RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Pamięć RAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Pamięć RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Pamięć RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Pamięć RAM