RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R5316G1609U2K 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
80
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
6.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
5.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
80
Prędkość odczytu, GB/s
6.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.2
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1309
1775
AMD R5316G1609U2K 8GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link