RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Porównaj
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Wynik ogólny
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
86
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
5.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
86
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
5.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
1220
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link