RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
41
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
19
41
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
2062
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link