RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
32
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
32
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
2952
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link