RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Porównaj
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wynik ogólny
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
37
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2581
2361
AMD R5S38G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link