RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
48
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
26
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1420
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link