RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
73
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
73
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2113
1724
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 992018 (997018) 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link