RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
35
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
20
35
Prędkość odczytu, GB/s
19.1
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3252
2488
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Porównanie pamięci RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link