RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Porównaj
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
56
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
56
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2278
2455
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link