RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Porównaj
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
40
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
40
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
2254
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link