RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Porównaj
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 8 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2100
3413
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link