RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
2693
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link