RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
56
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
4.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
56
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
7.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
4.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
1598
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link