Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB

Wynik ogólny

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Wynik ogólny

G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Powody do rozważenia
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

4 17.9

Średnia wartość w badaniach

G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB

Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 51

Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

14.3 1,839.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 5300

Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR2 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

51 30
Prędkość odczytu, GB/s

4,246.9 17.9
Prędkość zapisu, GB/s

1,839.1 14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps

5300 17000

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

721 3551

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB

Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Team Group Inc. 16GB

Team Group Inc. 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB

SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB

SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology DDR4 3000 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N