Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17 left arrow 13.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.5 left arrow 11.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 31
    Wokół strony -15% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    31 left arrow 27
  • Prędkość odczytu, GB/s
    17.0 left arrow 13.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    12.5 left arrow 11.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    3282 left arrow 2430
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania