RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3491
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link