RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
70
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
70
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2519
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link