RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
3288
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link