RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
41
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2394
3110
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link