RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3564
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
UMAX Technology 16GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link