RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
4167
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link