RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
1764
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link