RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2282
2808
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link