RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
44
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
14.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2623
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6N1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link