RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
44
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2193
2434
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link