RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
44
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2193
2337
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link