RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,027.0
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
52
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,837.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,027.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
794
2852
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link