RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
29
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
20
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3429
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link