RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3515
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link