RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2756
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link