RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2200
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9905403-149.A01LF 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link