RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2902
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link