RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3692
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link