RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2488
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link